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FET符号(参数、结构、原理、应用电路)

场效应晶体管简介

场效应晶体管是场效应晶体管的简称，缩写为FET。

(资料图)

FET是一种半导体放大器件，不仅具有体积小、省电耐用的优点，还具有输入阻抗高(10的8次方欧姆)、噪声低、热稳定性好、功耗低、动态范围大、抗辐射能力强、易于集成、无二次击穿现象、安全工作区广等优点。

FET的缺点是容易被静电高压击穿。

场效应晶体管和晶体管的区别

三极管的载流子是空空穴和电子，所以三极管也叫双极晶体管。

FET只有空个空穴或只有电子，所以也叫单极晶体管。

晶体管是电流控制器件，而场效应晶体管是电压控制器件。

场效应晶体管的类型

场效应晶体管分为结型和绝缘栅型。

见下文

结型FET利用沟道两侧耗尽层的宽度来改变沟道的电导率，从而控制漏极电流。

绝缘FET利用感应电荷量来改变沟道导电性，从而控制漏极电流。

场效应晶体管物理图

p沟道结型场效应晶体管

n沟道结型场效应晶体管

场效应晶体管的电路符号

符号表示FET的类型，FET的表示主要包括极性、材料、类型、规格号等。

场效应管的电路图形符号可以表明它的种类。

场效应晶体管电路图形符号的理解和记忆方法

场效应友好资源 *** 管理结构

下图显示了N沟道结型FET的结构和工作原理。可以看到它使用的是N型半导体，在其上下两侧引出一个电机，分别叫做漏极D和源极S。在N型半导体的两侧，设置一小片P型半导体，将它们连接起来作为栅极G，这样在G，S和G，d之间就出现了PN结。

三种DC偏压分析如下:

通过上面的分析，通过改变G和S之间的反向偏置电压，可以改变流过沟道的电流，换句话说，栅极电压可以控制漏极电流。

这说明FET是一种电压控制器件。

下图是N沟道绝缘栅FET的原理图。在两个N型区域之间形成N型硅薄层，从而形成N型沟道。在N型沟道上加一层绝缘材料二氧化硅，在绝缘层上加一层铝层电极作为栅极g。

当在G和S之间加一个电压时，G电极的铝层和P型衬底就像以绝缘层为介质的平行板电容器。改变G电极和S电极之间的电压可以改变N型沟道的电阻。

场效应晶体管的工作原理

场效应晶体管的主要参数

脚资源 *** 管理的封装形式和管脚分布规则

场效应晶体管电路的例子

场效应管在开关电源电路开关振荡电路中的应用

集成电路U101中的振荡器开始振荡，为场效应晶体管Q101的栅极G提供振荡信号，场效应晶体管开始振荡，使得开关变压器T101的初级线圈产生开关电流，开关变压器的次级线圈产生感应电流。3脚的输出经过整流滤波后形成正反馈电压，施加到U101的7脚，从而维持振荡电路的工作，使开关电源进入正常工作状态。该电路中用FET作为悠游资源网的脉冲放大器件，实现开关振荡的功能。

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