北京时间1月31日，西数公司正式宣布了新一代闪存技术BiCS5。BiCS5闪存是西数目前最先进、密度最高的3D NAND闪存，通过采用第二代多层存储孔、改进工艺及其他3D NANDg功能等手段显著提升了存储芯片的横向存储密度，再加上112层纵向堆栈，使得BiCS5与之前96层堆栈的BiCS4闪存技术有了明显提升，存储容量提升40%，IO性能提升了50%，同时优化了成本。
西数BiCS5闪存主要有TLC及QLC闪存两种类型，初期会以512Gb核心的TLC开始量产，后续会提供更多容量选择，包括最高密度的1.33Tb QLC闪存，预计2020年下半年开始商业化量产，主要生产工厂是日本三重县四日市及岩手县北上市的晶圆厂。
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